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  厦企在SiC（碳化硅）范畴，再次获得重磅技能打破。12月23日，瀚天天成正式揭露宣告，其在翔安区的碳化硅半导体工业园，成功开宣布全球首款12英寸（1英寸=2.54厘米）高质量碳化硅外延晶片。

  相较于当时干流的150毫米（四舍五入后为6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处工业化推动阶段的200毫米（四舍五入后为8英寸）产品，300毫米（四舍五入后为12英寸）晶片凭仗直径的明显扩容，在相同出产工序下，单片可承载的芯片（器材）数量完成大幅度的进步——较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至2.3倍。

  作为第三代半导体中心资料，碳化硅凭仗高频、高压、高温的优异特性，成为新能源轿车、光伏发电、AI电源等战略性新鼓起的工业的要害支撑。此前，瀚天天成不只首先完成3英寸至8英寸全尺度碳化硅外延晶片商业化供给，更主导拟定了全球首个碳化硅外延晶片世界SEMI规范。此次12英寸产品的推出，进一步确立了其在职业的技能界说权。

  瀚天天成也是我市第三代半导体工业详尽区分范畴的领头羊。近年来，我市以火炬高新区、海沧集成电路工业园等为中心载体，构建起掩盖规划、制作、封测、设备资料的全链条工业布局。现在，我市已构成龙头引领、协同开展的工业集群，士兰微8英寸碳化硅功率器材产线加快建造，通富微电先进封测项目行将投产，与瀚天天成构成上下游联动，构建起国产化协同的工业生态。（记者 李晓平）

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