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  氧化铝（Al₂O₃）首要特性：导热率适中（≈30 W/m·K），绝缘性好，本钱相对低。典型使用：低端至中端功率模块、LED散热基板氮化铝（AlN）：首要特性：高导热率（≈170 W/m·K），热线胀系数挨近硅。典型使用：高功率IGBT、激光二极管、轿车电子。氮化硅（Si₃N₄）‍首要特性：高强度、耐高温，导热率≈70 W/m·K。典型使用：高电流、大功率功率器材。氧化铍（BeO）首要特性：极高导热率（≈200 W/m·K），但毒性较大。典型使用：高端散热需求的射频/微波模块。碳化硅（SiC）首要特性：超高硬度、耐高温、导热率≈120 W/m·K。典型使用：高温功率器材、航空航天。硼氮化物（BN）首要特性：绝缘性极好，导热率≈30 W/m·K。典型使用：需要高绝缘的微波/射频基板。其他陶瓷（如SiC、Si₃N₄等）首要特性：兼具高导热与低热胀大。典型使用：未来高功率/高频封装方向。结构陶瓷凭仗其高绝缘、高热导、尺度安稳和耐腐蚀等优势，已成为电子元器材中不可或缺的资料，掩盖从基板、封装、散热、绝缘到高频/高温专用部件的全链路需求，并在新式的 5G、AI、功率电子等范畴坚持敏捷添加。