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  厂商正纷繁发力，支撑英伟达为下一代 AI 工厂核算渠道推出的 800V 直流供电架构（图 1a）。该架构专为高效支撑下一代 AI 服务器机柜的兆瓦级功耗而规划，以单步转化直接输出 800V 直流电压给每个机柜，替代了当时需将 13.8V 交流电转化为 54V 直流供电轨的多级中心转化流程（图 1b）。

  即使抛开英伟达在 AI 范畴的 “龙头位置” 及其对芯片供电方法的主导权，800V 架构在能效、空间利用率和体系本钱方面的优势也极具吸引力，推进该技能快速取得职业 momentum。

  因为技能转型尚处于前期阶段，很多厂商发布了关于这一新供电架构的技能白皮书，具体论述架构特性及本身的支撑计划。以下为数据中心相关工程师及技能专业技能人员整理了一份精选阅览清单：

  首要，可阅览英伟达发布的架构白皮书，其间深入分析了当时数据中心供电体系存在的问题（这也是催生英伟达新标准的中心原因），并概述了该架构的多项优势。

  在把握根底布景后，可经过以下技能文章进一步探究下一代 AI 数据中心电源体系在规划、运维等方面的实践细节：

  EPC 凭仗根据增强型氮化镓（eGaN）电源办理场效应晶体管和集成电路打造的 6 千瓦、高效低本钱、薄型化 800V 至 12.5V 转化器，全面入局 800V 直流技能比赛（图 2）。该公司的白皮书探讨了该转化器所支撑的分布式架构怎样经过省去不必要的转化环节、直接向电路板供电，以此来下降能量损耗和体系本钱。

  Navitas半导体在支撑英伟达的下一代电源架构方面也十分活跃。作为这些尽力的一部分，该公司发布了一份内容丰富的白皮书。除了一般的布景之外，它还供给了对 800V 直流电源架构的各个元素的更精密的了解，然后评论了 Navitas 的GeneSiC 碳化硅 MOSFET 沟槽辅佐平面结构的优势 —— 该结构十分适用于此类运用场景。

  白皮书深入分析了沟槽辅佐氮化镓场效应晶体管的结构，及其专有架构怎样在完成传统沟槽场效应晶体管更高功率密度和功能（导通电阻面积乘积、栅极电荷与导通电阻乘积、击穿电压平方与导通电阻面积乘积）的一起，经过简化架构进步良率并下降出产所带来的本钱（图 3）。此外，还介绍了 Navitas 全新的 SiCPaK 功率模块，该模块经专门规划可耐受高湿度和高温环境。

  该白皮书还要点介绍了该公司的 InnoMux 2-EP IC 作为 800V 直流数据中心辅佐电源的解决计划。InnoMux-2器材的集成1,700V PowiGaN开关支撑1,000 V直流输入电压，而其SR ZVS作在液冷、无电扇、800V 直流架构中供给超越90.3%的1 V体系功率。

  Renesas电子发布了一份白皮书，评论了其器材为 AI 数据中心的 800V 配电网络供给的优势。它探讨了该公司共同的电源转化器架构和其他氮化镓功率器材将怎样来完成机架内 800V 直流总线的开发。这将明显下降配电损耗和对大型母线的需求，一起仍支撑经过DC-DC降压转化器重用48V组件。

  根据公司共同的 LLC 直流互感器 （LLC DCX） 拓扑结构，这些转化器可完成高达 98% 的功率（图 4）。关于 AC-DC 前端，瑞萨电子运用双向 GaN 开关来简化整流器规划并进步功率密度。其 REXFET MOSFET、驱动器和控制器弥补了新式 DC-DC 转化器的 BOM。

  ROHM 半导体最近发布的白皮书概述了跨人工智能根底设施供给大规模 800V 直流配电的几种电源战略，并具体的介绍了支撑这些战略的先进电源解决计划。该白皮书介绍了该公司的归纳电源解决计划。这中心还包含 EcoSiC 系列，它为 AI 服务器供给业界抢先的低导通电阻和顶部冷却模块，以及将 GaN 功能与专有模仿 IC 技能相结合的 EcoGaN 系列。